著錄信息
- 專利名稱：高介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜及其制備方法和應用
- 專利類型：發(fā)明
- 申請?zhí)枺?/em>CN201310746333.4
- 公開(公告)號：CN103724624B
- 申請日：20131230
- 公開(公告)日：20160330
- 申請人：深圳市惠程電氣股份有限公司
- 發(fā)明人：侯豪情,呂曉義,何平
- 申請人地址：518118 廣東省深圳市坪山新區(qū)大工業(yè)區(qū)蘭景北路惠程科技園
- 申請人區(qū)域代碼：CN440307
- 專利權人：深圳市惠程電氣股份有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：C08G73/10,C08J5/18
- 優(yōu)先權：無
- 專利代理機構：北京萬科園知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11230
- 代理人：劉俊玲;張亞軍
- 審查員：王燕
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
聚酰亞胺薄膜,高介電常數(shù),芳環(huán),聚酰亞胺薄膜在,機械能,電致伸縮性能,高化學穩(wěn)定性,機電能量轉換,聚酰胺酸薄膜,聚酰亞胺材料,低介電損耗,重復單元數(shù),電能輸送,電子器件,二胺殘基,聚酰胺酸,聚合物,高儲能,高強度,介電層,聚苯胺,耐高溫,亞胺化,殘基,二酐,鏈段,一種,電機,轉換,應用,表現(xiàn)
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