著錄信息
- 專利名稱：一種襯底可重復利用的大功率發(fā)光二極管外延結構
- 專利類型：發(fā)明
- 申請?zhí)枺?/em>CN201410551438.9
- 公開(公告)號：CN104332535B
- 申請日：20141017
- 公開(公告)日：20170606
- 申請人：廈門乾照光電股份有限公司
- 發(fā)明人：林志偉,陳凱軒,張永,卓祥景,姜偉,楊凱,蔡建九,白繼鋒,劉碧霞
- 申請人地址：361000 福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔天路259-269號
- 申請人區(qū)域代碼：CN350213
- 專利權人：廈門乾照光電股份有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L33/00,H01L33/12,H01L33/02
- 優(yōu)先權：無
- 專利代理機構：廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
- 代理人：廖吉保;唐紹烈
- 審查員：魏芳芳
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
襯底,發(fā)光結構,剝離層,金屬反射層,襯底保護層,保護層,大功率發(fā)光二極管,二極管,破損問題,外延結構,重復利用,可重復,外延層,基板,剝離,節(jié)約
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