著錄信息
- 專利名稱：一種GaN基發(fā)光二極管芯片的制備方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請?zhí)枺?/em>CN201410594339.9
- 公開(公告)號：CN104300048B
- 申請日：20141029
- 公開(公告)日：20170215
- 申請人：山東浪潮華光光電子股份有限公司
- 發(fā)明人：劉巖,馬玉玲,彭璐,徐現剛
- 申請人地址：261061 山東省濰坊市高新區(qū)金馬路9號
- 申請人區(qū)域代碼：CN370705
- 專利權人：山東浪潮華光光電子股份有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L33/02
- 優(yōu)先權：無
- 專利代理機構：濟南日新專利代理事務所 37224
- 代理人：王書剛
- 審查員：劉天飛
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
光刻膠,去除,制備,干法刻蝕,芯片表面,刻蝕,殘留,等離子體去除,生產周期,表面殘留,表面生長,刻蝕氣體,工藝流程,鈍化層,面結構,芯片,制作,保證
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