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著錄信息

  • 專利名稱:一種在樹脂基片使用磁控濺射制備ITO膜的方法
  • 專利類型:發(fā)明
  • 申請?zhí)枺?/em>CN201110295242.4
  • 公開(公告)號:CN102312208B
  • 申請日:20110930
  • 公開(公告)日:20121219
  • 申請人:蕪湖長信科技股份有限公司
  • 發(fā)明人:許沭華,夏大映,張兵,何晏兵,孔德興,康傲飛
  • 申請人地址:安徽省蕪湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)汽經(jīng)二路以東
  • 申請人區(qū)域代碼:CN340207
  • 專利權(quán)人:蕪湖長信科技股份有限公司
  • 洛迦諾分類:
  • IPC:C23C14/35,C23C14/06
  • 優(yōu)先權(quán):
  • 專利代理機(jī)構(gòu):蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107
  • 代理人:張小虹
  • 審查員:趙妍妍
  • 國際申請:
  • 國際公開(公告):
  • 進(jìn)入國家日期:
  • 分案申請:

關(guān)鍵詞

樹脂基片,磁控濺射,電阻率,運送,冷卻,磁控濺射設(shè)備,化學(xué)穩(wěn)定性,陰極直流電,高透過率,基片加熱,抽真空,垂直式,電阻值,加熱室,濺射室,均勻性,冷卻室,膜沉積,電阻,鍍膜,濺射,卸載,密封,裝載
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