著錄信息
- 專利名稱：單晶硅位錯(cuò)腐蝕劑及檢測方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請?zhí)枺?/em>CN201310576502.4
- 公開(公告)號：CN103590113B
- 申請日：20131118
- 公開(公告)日：20160817
- 申請人：銀川隆基硅材料有限公司,西安隆基硅材料股份有限公司,寧夏隆基硅材料有限公司,無錫隆基硅材料有限公司
- 發(fā)明人：王新強(qiáng),鄧浩,馬自成
- 申請人地址：750021 寧夏回族自治區(qū)銀川市（國家級）經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)開元東路15號
- 申請人區(qū)域代碼：CN640105
- 專利權(quán)人：銀川隆基硅材料有限公司,西安隆基硅材料股份有限公司,寧夏隆基硅材料有限公司,無錫隆基硅材料有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：C30B33/10,C23F1/24,G01N21/00
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機(jī)構(gòu)：西安弘理專利事務(wù)所 61214
- 代理人：羅笛
- 審查員：史博穎
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進(jìn)入國家日期：無
- 分案申請：無
關(guān)鍵詞
單晶硅,位錯(cuò),腐蝕劑,緩釋劑,檢測,腐蝕,刺激性氣味,環(huán)境友好,硼酸溶液,浸入,硝酸,氫氟酸
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