著錄信息
- 專利名稱：用于GaN基半導體LED芯片的絕緣結構
- 專利類型：實用新型
- 申請?zhí)枺?/em>CN201320572011.8
- 公開(公告)號：CN203434159U
- 申請日：20130914
- 公開(公告)日：20140212
- 申請人：江蘇新廣聯科技股份有限公司
- 發(fā)明人：張帆,吳永勝
- 申請人地址：214192 江蘇省無錫市錫山區(qū)錫山經濟開發(fā)區(qū)團結北路18號
- 申請人區(qū)域代碼：CN320205
- 專利權人：無
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L27/15,H01L33/44
- 優(yōu)先權：無
- 專利代理機構：無錫市大為專利商標事務所 32104
- 代理人：曹祖良
- 審查員：無
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
發(fā)光單元,金屬電極,外延片,氮化鎵層,絕緣層,電流擴展,絕緣帶,襯底,相鄰發(fā)光單元,半導體LED,襯底表面,導電物質,工藝可靠,工藝實施,金屬導線,絕緣結構,量子阱,上表面,刻蝕,良率,上部,芯片,隔離,露出,連接
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