著錄信息
- 專利名稱：垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光二極管的外延結(jié)構(gòu)
- 專利類型：發(fā)明
- 申請?zhí)枺?/em>CN200610044258.7
- 公開(公告)號(hào)：CN100377456C
- 申請日：20060517
- 公開(公告)日：20080326
- 申請人：中微光電子(濰坊)有限公司
- 發(fā)明人：蔣偉,劉凱,張彥偉,孫夕慶
- 申請人地址：261021山東省濰坊市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)玉清街東首中微光電子(濰坊)有限公司
- 申請人區(qū)域代碼：CN370702
- 專利權(quán)人：中微光電子(濰坊)有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01S5/183,H01S5/187,H01S5/343,H01S5/00
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機(jī)構(gòu)：濰坊鳶都專利事務(wù)所
- 代理人：臧傳進(jìn)
- 審查員：丁長林
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進(jìn)入國家日期：無
- 分案申請：無
關(guān)鍵詞
生長,反射層,單層,量子阱結(jié)構(gòu),摻雜,半導(dǎo)體激光二極管,內(nèi)部,垂直腔面發(fā)射,砷化鎵襯底,電流擴(kuò)展,外延結(jié)構(gòu),外延生長,成品率,覆蓋層,過渡層,砷化鎵,氧化層,外部
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