晶體硅太陽(yáng)能電池的制造工藝流程

1、切片：采用多線切割,，將硅棒切割成正方形的硅片。

2,、清洗：用常規(guī)的硅片清洗方法清洗,，然后用酸（或堿）溶液將硅片表面切割損傷層除去30－50um。

3,、 制備絨面：用堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面,。

4、磷擴(kuò)散：采用涂布源（或液態(tài)源,，或固態(tài)氮化磷片狀源）進(jìn)行擴(kuò)散,，制成PN＋結(jié)，結(jié)深一般為0.3－0.5um,。

5,、周邊刻蝕：擴(kuò)散時(shí)在硅片周邊表面形成的擴(kuò)散層，會(huì)使電池上下電極短路,，用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層,。

6、去除背面PN＋結(jié),。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN＋結(jié),。

7,、 制作上下電極：用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)等工藝,。先制作下電極,，然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法,。

8,、制作減反射膜：為了減少入反射損失，要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜,。制作減反射膜的材料有MgF2 ,，SiO2 ，Al2O3 ,，SiO ,，Si3N4 ，TiO2 ,，Ta2O5等,。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法,，濺射法,、印刷法、PECVD法或噴涂法等,。

9,、燒結(jié)：將電池芯片燒結(jié)于鎳或銅的底板上。

10,、測(cè)試分檔：按規(guī)定參數(shù)規(guī)范,，測(cè)試分類(lèi)。

由此可見(jiàn),，太陽(yáng)能電池芯片的制造采用的工藝方法與半導(dǎo)體器件基本相同,，生產(chǎn)的工藝設(shè)備也基本相同，但工藝加工精度遠(yuǎn)低于集成電路芯片的制造要求,，這為太陽(yáng)能電池的規(guī)模生產(chǎn)提供了有利條件,。

晶體硅太陽(yáng)能電池制作需要什么材料

1、晶體硅材料

單晶硅：?jiǎn)尉Ч枋翘?yáng)能電池的主要材料之一,，具有更高的光電轉(zhuǎn)換效率和更強(qiáng)的導(dǎo)電能力,。單晶硅太陽(yáng)電池所用的材料通常用微電子工業(yè)的廢次單晶重新拉制而成。單晶硅太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率最高,，技術(shù)也最為成熟,。在實(shí)驗(yàn)室里最高的轉(zhuǎn)換效率為24.7%（理論最高光電轉(zhuǎn)化效率為25%），規(guī)模生產(chǎn)時(shí)的效率為18%左右,。單晶硅太陽(yáng)電池在大規(guī)模應(yīng)用和工業(yè)生產(chǎn)中仍占據(jù)主導(dǎo)地位,，但由于其材料成本較高,，生產(chǎn)工藝相對(duì)復(fù)雜，因此成本價(jià)格也較高,。

多晶硅：多晶硅則是由很多個(gè)小單晶（晶粒）組成,，各個(gè)晶粒的方向（晶向）不同。與單晶硅相比,，多晶硅的制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單,，成本較低，但光電轉(zhuǎn)換效率可能稍低,。多晶硅太陽(yáng)電池所用的材料是用澆鑄等方法制得的,，其優(yōu)點(diǎn)是能直接制備出適合于規(guī)模化生產(chǎn)的大尺寸方形硅錠,。目前,，考慮到材料成本等方面的因素，多晶硅太陽(yáng)電池代替單晶硅太陽(yáng)電池漸變?yōu)楣夥姵氐闹鹘恰?/p>

2,、摻雜元素

三價(jià)元素（如硼）：用于形成P型硅晶片,。通過(guò)在硅中摻入三價(jià)元素，硅晶片中的部分硅原子被替代,，形成帶正電的空穴,。

五價(jià)元素（如磷）：用于形成N型半導(dǎo)體層。通過(guò)在硅中摻入五價(jià)元素,，硅晶片中的部分硅原子被替代,，形成帶負(fù)電的電子。

3,、電極材料

上電極：通常采用鋁-銀材料制成,，呈“梳齒”形狀，能夠增加與硅晶片的接觸面積,，更有效地收集電子。上電極位于N型硅晶片表面的絨面結(jié)構(gòu)和減反射層之上,。

下電極：通常采用鎳-錫材料制成,，呈板狀布滿P型硅晶片的下表面。下電極有助于減少電池內(nèi)部的串聯(lián)電阻,。

4,、減反射層材料

為了減少入射太陽(yáng)光的反射損失，提高電池對(duì)太陽(yáng)光能的吸收效率,，通常在絨面結(jié)構(gòu)上沉積一層減反射層,。這層薄膜一般可均勻沉積60~100納米左右的SiO?或Si?N?等材料。

晶體硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)

晶體硅太陽(yáng)能電池主要由硅基片,、PN結(jié),、電極和減反射膜等部分組成,。

1、硅基片

是電池的主體,，通常采用高純度的單晶硅或多晶硅制成,。硅基片的純度對(duì)電池的性能有重要影響。

2,、PN結(jié)

是電池的核心部分,，由P型硅和N型硅組成。當(dāng)太陽(yáng)光照射到PN結(jié)上時(shí),，會(huì)產(chǎn)生光生電效應(yīng),，即光能轉(zhuǎn)化為電能。

3,、電極

包括正極和負(fù)極,，用于收集并導(dǎo)出由PN結(jié)產(chǎn)生的電流。電極的設(shè)計(jì)對(duì)提高電池的轉(zhuǎn)換效率至關(guān)重要,。

4,、減反射膜

覆蓋在硅基片表面的一層薄膜，可以減少太陽(yáng)光在硅基片上的反射,，從而增加光的吸收率,。