1、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓,，標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管,，VT約為3～6V，通過工藝上的改進(jìn),，可以使MOS管的VT值降到2～3V,。

2、直流輸入電阻RGS

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比,，這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示,，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。

3,、漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下,，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS，ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿,，（2）漏源極間的穿通擊穿,，有些MOS管中，其溝道長度較短,，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通,，穿通后,，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引,，到達(dá)漏區(qū),，產(chǎn)生大的ID。

4,、柵源擊穿電壓BVGS

在增加?xùn)旁措妷哼^程中,，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS,。

5,、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo),，gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力,，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)，一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi),。

6,、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對ID的影響，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù),，在飽和區(qū),，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大,，一般在幾十千歐到幾百千歐之間,，由于在數(shù)字電路中，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下,，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似,，對一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi),。

7,、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS、柵漏電容CGD和漏源電容CDS,，CGS和CGD約為1～3pF,，CDS約在0.1～1pF之間。

8,、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的,，由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號輸人時(shí),，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化,，噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB），這個(gè)數(shù)值越小,，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小,，低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)，場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝,，它比雙極性三極管的要小,。