1、在應用層面根據電壓等級劃分

（1）低壓IGBT：指電壓等級在1000V以內的IGBT器件,，例如常見的650V應用于新能源汽車,、家電,、工業(yè)變頻等領域。

（2）中壓IGBT：指電壓等級在1000-1700V區(qū)間的IGBT器件,，如1200V應用于光伏、電磁爐,、家電,、焊機、工業(yè)變頻器和新能源汽車領域,，1700V應用于光伏和風電領域,。

（3）高壓IGBT：指電壓等級3300V及以上的IGBT器件,，比如3300V和6500V應用于高鐵,、動車,、智能電網,，以及工業(yè)電機等領域,。

2,、在產品層面根據封裝方式劃分

（1）IGBT單管：封裝規(guī)模較小,，一般指封裝單顆IGBT芯片,，電流通常在50A以下,，適用于消費,、工業(yè)家電領域。

（2）IGBT模塊：IGBT最常見的形式,，是將多個IGBT芯片集成封裝在一起,，功率更大、散熱能力更強,，適用于高壓大功率平臺,，如新能源車、光伏,、高鐵等,。

（3）功率集成（IPM）：指把IGBT模塊加上散熱器、電容等外圍組件,，組成一個功能較為完整和復雜的智能功率模塊,。

3、根據是否具有N 緩沖層劃分

（1）穿通IGBT：又稱PT-IGBT,、非對稱IGBT,，在發(fā)射極接觸處具有N 區(qū)，具有不對稱的電壓阻斷能力,，即正向和反向擊穿電壓不同,。非對稱IGBT的反向擊穿電壓小于其正向擊穿電壓，同時具有更快的切換速度,。穿通IGBT是單向的,，不能處理反向電壓,。因此，它們被用于逆變器和斬波器電路等直流電路中,。

（2）非穿通IGBT：又稱NPT-IGBT,、對稱IGBT，它沒有由發(fā)射極接觸額外的N 區(qū)域,，結構的對稱性提供了對稱的擊穿電壓特性,，即正向和反向擊穿電壓相等。由于這個原因,，它們被用于交流電路,。