一、igbt的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有哪些

IGBT?就是絕緣柵雙極晶體管,，它主要用于多種電子設(shè)備中的高效快速開(kāi)關(guān)的場(chǎng)景中,，兼有BJT和MOS管的好處，它的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)都是很明顯的：

1,、igbt的優(yōu)點(diǎn)

（1）具有較高的電壓和電流處理能力,、極高的輸入阻抗。

（2）可以使用非常低的電壓切換非常高的電流,。

（3）具有電壓控制裝置,，沒(méi)有輸入電流和低輸入損耗。

（4）柵極驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單且便宜,，降低了柵極驅(qū)動(dòng)的要求,。

（5）通過(guò)施加正電壓可以很容易地打開(kāi)它，通過(guò)施加零電壓或稍微負(fù)電壓可以很容易地關(guān)閉它,。

（6）具有非常低的導(dǎo)通電阻,。

（7）具有高電流密度，使其能夠具有更小的芯片尺寸,。

（8）具有比BJT和MOS管更高的功率增益,。

（9）具有比BJT更高的開(kāi)關(guān)速度。

（10）可以使用低控制電壓切換高電流電平,。

（11）具有雙極性質(zhì),，增強(qiáng)了傳導(dǎo)性。

（12）安全可靠,。

2,、igbt的缺點(diǎn)

（1）開(kāi)關(guān)速度低于MOS管。

（2）因?yàn)槭菃蜗虻?，在沒(méi)有附加電路的情況下無(wú)法處理AC波形,。

（3）不能阻擋更高的反向電壓,。

（4）比BJT和MOS管價(jià)格更高。

（5）類似于晶閘管的P-N-P-N結(jié)構(gòu),，因此它存在鎖存問(wèn)題,。

二、igbt有什么特性

1,、功率特性

IGBT具有良好的功率特性,，其重復(fù)性能優(yōu)于MOSFET，可實(shí)現(xiàn)高效的恒定功率輸出,，有利于提高整個(gè)系統(tǒng)的工作效率,。

2、控制特性

IGBT具有良好的控制特性,，其輸入電壓范圍較寬,，可實(shí)現(xiàn)電壓控制調(diào)節(jié)，可以有效抑制電壓波動(dòng),。

3,、可靠性

IGBT具有良好的可靠性，具有抗電磁干擾能力強(qiáng),、抗溫度變化性能好和耐久性高等優(yōu)點(diǎn),，可以長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

4,、結(jié)構(gòu)特性

IGBT有著緊湊的結(jié)構(gòu),，體積小，可以降低整個(gè)系統(tǒng)的體積,，有利于系統(tǒng)的自動(dòng)化程度的提高,。

三、igbt的主要參數(shù)

1,、電壓限制：IGBT的電壓范圍一般在600V-6.5kV之間,。

2、功率限制：IGBT的功率范圍一般在1W-15MW之間,。

3,、漏電流： IGBT的漏電流比MOSFET要小得多，一般在1mA-100mA之間,。

4,、損耗：IGBT的損耗一般比MOSFET要低，可以達(dá)到1W-15MW之間,。

5,、熱效應(yīng)：IGBT的熱效應(yīng)比MOSFET要小，可以達(dá)到20°C-150°C之間,。

6,、反應(yīng)時(shí)間：IGBT的反應(yīng)時(shí)間一般比MOSFET要快,，可以達(dá)到1ns-50ns之間。