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igbt的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有哪些 igbt有什么特性

摘要:igbt是常用的功率半導(dǎo)體器件,它具有電壓和電流處理能力高,、沒有輸入電流和低輸入損耗,、導(dǎo)通電阻低,、芯片尺寸小、開關(guān)速度快,、功率增益高等諸多優(yōu)點(diǎn),,不過這種半導(dǎo)體器件也存在沒有附加電路無法處理AC波形、價(jià)格高,、存在鎖存問題等缺點(diǎn),。下面一起來詳細(xì)了解一下igbt的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有哪些以及igbt有什么特性吧。

一,、igbt的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有哪些

IGBT?就是絕緣柵雙極晶體管,,它主要用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)的場景中,兼有BJT和MOS管的好處,,它的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)都是很明顯的:

1,、igbt的優(yōu)點(diǎn)

(1)具有較高的電壓和電流處理能力、極高的輸入阻抗,。

(2)可以使用非常低的電壓切換非常高的電流,。

(3)具有電壓控制裝置,沒有輸入電流和低輸入損耗,。

(4)柵極驅(qū)動(dòng)電路簡單且便宜,,降低了柵極驅(qū)動(dòng)的要求。

(5)通過施加正電壓可以很容易地打開它,,通過施加零電壓或稍微負(fù)電壓可以很容易地關(guān)閉它。

(6)具有非常低的導(dǎo)通電阻,。

(7)具有高電流密度,,使其能夠具有更小的芯片尺寸。

(8)具有比BJT和MOS管更高的功率增益,。

(9)具有比BJT更高的開關(guān)速度,。

(10)可以使用低控制電壓切換高電流電平。

(11)具有雙極性質(zhì),,增強(qiáng)了傳導(dǎo)性,。

(12)安全可靠。

2,、igbt的缺點(diǎn)

(1)開關(guān)速度低于MOS管,。

(2)因?yàn)槭菃蜗虻模跊]有附加電路的情況下無法處理AC波形,。

(3)不能阻擋更高的反向電壓,。

(4)比BJT和MOS管價(jià)格更高,。

(5)類似于晶閘管的P-N-P-N結(jié)構(gòu),因此它存在鎖存問題,。

二,、igbt有什么特性

1、功率特性

IGBT具有良好的功率特性,,其重復(fù)性能優(yōu)于MOSFET,,可實(shí)現(xiàn)高效的恒定功率輸出,有利于提高整個(gè)系統(tǒng)的工作效率,。

2,、控制特性

IGBT具有良好的控制特性,其輸入電壓范圍較寬,,可實(shí)現(xiàn)電壓控制調(diào)節(jié),,可以有效抑制電壓波動(dòng)。

3,、可靠性

IGBT具有良好的可靠性,,具有抗電磁干擾能力強(qiáng)、抗溫度變化性能好和耐久性高等優(yōu)點(diǎn),,可以長期穩(wěn)定運(yùn)行,。

4、結(jié)構(gòu)特性

IGBT有著緊湊的結(jié)構(gòu),,體積小,,可以降低整個(gè)系統(tǒng)的體積,有利于系統(tǒng)的自動(dòng)化程度的提高,。

三,、igbt的主要參數(shù)

1、電壓限制:IGBT的電壓范圍一般在600V-6.5kV之間,。

2,、功率限制:IGBT的功率范圍一般在1W-15MW之間。

3,、漏電流: IGBT的漏電流比MOSFET要小得多,,一般在1mA-100mA之間。

4,、損耗:IGBT的損耗一般比MOSFET要低,,可以達(dá)到1W-15MW之間。

5,、熱效應(yīng):IGBT的熱效應(yīng)比MOSFET要小,,可以達(dá)到20°C-150°C之間。

6,、反應(yīng)時(shí)間:IGBT的反應(yīng)時(shí)間一般比MOSFET要快,,可以達(dá)到1ns-50ns之間,。

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