一、硅片清洗的目標(biāo)是什么

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗,。微量污染也會導(dǎo)致器件失效,。那么硅片清洗的目標(biāo)是什么呢？

硅片清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì),，包括有機(jī)物和無機(jī)物,。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面,。會導(dǎo)致各種缺陷,。

二、硅片清洗的方法有哪些

硅片清除污染的方法有物理清洗和化學(xué)清洗兩種,。

1,、化學(xué)清洗是為了除去原子、離子不可見的污染,，方法較多,，有溶劑萃取、酸洗（硫酸,、硝酸,、王水、各種混合酸等）和等離子體法等,。其中雙氧水體系清洗方法效果好,，環(huán)境污染小,。一般方法是將硅片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗,。清洗液的強(qiáng)氧化性,，將有機(jī)物分解而除去；用超純水沖洗后,，再用成分比為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的堿性清洗液清洗,，由于H2O2的氧化作用和NH4OH的絡(luò)合作用，許多金屬離子形成穩(wěn)定的可溶性絡(luò)合物而溶于水,；然后使用成分比為H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液,，由于H2O2的氧化作用和鹽酸的溶解，以及氯離子的絡(luò)合性,，許多金屬生成溶于水的絡(luò)離子,，從而達(dá)到清洗的目的。

放射示蹤原子分析和質(zhì)譜分析表明,，采用雙氧水體系清洗硅片效果最好,，同時所用的全部化學(xué)試劑H2O2、NH4OH,、HCl能夠完全揮發(fā)掉,。用H2SO4和H2O2清洗硅片時，在硅片表面會留下約2×1010原子每平方厘米的硫原子,，用后一種酸性清洗液時可以完全被清除,。用H2O2體系清洗硅片無殘留物，有害性小,，也有利于工人健康和環(huán)境保護(hù),。硅片清洗中用各步清洗液處理后，都要用超純水徹底沖洗,。

2,、物理清洗有三種方法。

（1）刷洗或擦洗：可除去顆粒污染和大多數(shù)粘在片子上的薄膜,。

（2）高壓清洗：是用液體噴射片子表面,，噴嘴的壓力高達(dá)幾百個大氣壓。高壓清洗靠噴射作用,，片子不易產(chǎn)生劃痕和損傷,。但高壓噴射會產(chǎn)生靜電作用，靠調(diào)節(jié)噴嘴到片子的距離,、角度或加入防靜電劑加以避免,。

（3）超聲波清洗：超聲波聲能傳入溶液，靠氣蝕作用洗掉片子上的污染,。但是,，從有圖形的片子上除去小于1微米顆粒則比較困難,。將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好,。