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硅片清洗的目標是什么 硅片清洗的方法有哪些

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摘要:隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,,集成度的不斷提高,,線寬的不斷減小,對硅片的質(zhì)量要求也越來越高,,特別是對硅拋光片的表面質(zhì)量要求越來越嚴,。半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴格清洗。微量污染也會導(dǎo)致器件失效,。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì),包括有機物和無機物,。具體的硅片清洗的目標是什么以及硅片清洗的方法有哪些,,咱們到文中仔細看看吧!

一,、硅片清洗的目標是什么

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴格清洗,。微量污染也會導(dǎo)致器件失效。那么硅片清洗的目標是什么呢,?

硅片清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì),,包括有機物和無機物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài),,有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面,。會導(dǎo)致各種缺陷,。

二、硅片清洗的方法有哪些

硅片清除污染的方法有物理清洗和化學(xué)清洗兩種,。

1,、化學(xué)清洗是為了除去原子、離子不可見的污染,,方法較多,,有溶劑萃取、酸洗(硫酸,、硝酸,、王水、各種混合酸等)和等離子體法等,。其中雙氧水體系清洗方法效果好,,環(huán)境污染小。一般方法是將硅片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗,。清洗液的強氧化性,,將有機物分解而除去;用超純水沖洗后,,再用成分比為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的堿性清洗液清洗,,由于H2O2的氧化作用和NH4OH的絡(luò)合作用,許多金屬離子形成穩(wěn)定的可溶性絡(luò)合物而溶于水,;然后使用成分比為H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液,,由于H2O2的氧化作用和鹽酸的溶解,以及氯離子的絡(luò)合性,,許多金屬生成溶于水的絡(luò)離子,,從而達到清洗的目的,。

放射示蹤原子分析和質(zhì)譜分析表明,,采用雙氧水體系清洗硅片效果最好,,同時所用的全部化學(xué)試劑H2O2,、NH4OH,、HCl能夠完全揮發(fā)掉。用H2SO4和H2O2清洗硅片時,,在硅片表面會留下約2×1010原子每平方厘米的硫原子,用后一種酸性清洗液時可以完全被清除,。用H2O2體系清洗硅片無殘留物,,有害性小,,也有利于工人健康和環(huán)境保護,。硅片清洗中用各步清洗液處理后,,都要用超純水徹底沖洗,。

2,、物理清洗有三種方法,。

(1)刷洗或擦洗:可除去顆粒污染和大多數(shù)粘在片子上的薄膜。

(2)高壓清洗:是用液體噴射片子表面,,噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓,。高壓清洗靠噴射作用,片子不易產(chǎn)生劃痕和損傷,。但高壓噴射會產(chǎn)生靜電作用,,靠調(diào)節(jié)噴嘴到片子的距離,、角度或加入防靜電劑加以避免。

(3)超聲波清洗:超聲波聲能傳入溶液,,靠氣蝕作用洗掉片子上的污染,。但是,從有圖形的片子上除去小于1微米顆粒則比較困難,。將頻率提高到超高頻頻段,,清洗效果更好。

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