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igbt的保護(hù)分哪三個(gè)保護(hù) IGBT的保護(hù)模式有哪些

摘要:igbt作為半導(dǎo)體器件,,需要做好保護(hù)工作,,一般來(lái)說(shuō),考慮到IGBT的耐過(guò)流能力與耐過(guò)壓能力較差,,需要做好過(guò)流保護(hù)和過(guò)壓保護(hù),,此外,,過(guò)熱保護(hù)也是有必要的。IGBT的保護(hù)模式有傳統(tǒng)保護(hù)模式和新型保護(hù)模式兩種,。下面一起來(lái)詳細(xì)了解一下igbt的保護(hù)分哪三個(gè)保護(hù)以及IGBT的保護(hù)模式有哪些吧,。

一、igbt的保護(hù)分哪三個(gè)保護(hù)

IGBT是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件,,具有電壓高,、電流大、頻率高,、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn),,被廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過(guò)流能力與耐過(guò)壓能力較差,,一旦出現(xiàn)意外就會(huì)使它損壞,。為此,必須對(duì)IGBT進(jìn)行相關(guān)保護(hù),。IGBT的保護(hù)主要分為三個(gè)部分:

1,、過(guò)流保護(hù)

IGBT承受過(guò)電流的時(shí)間僅為幾微秒,耐過(guò)流量小,,因此使用IGBT首要注意的是過(guò)流保護(hù),。IGBT的過(guò)流保護(hù)可分為兩種情況:驅(qū)動(dòng)電路中無(wú)保護(hù)功能;驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)有保護(hù)功能,。對(duì)于第一種情況,,我們可以在主電路中要設(shè)置過(guò)流檢測(cè)器件;針對(duì)第二種情況,,由于不同型號(hào)的混合驅(qū)動(dòng)模塊,,其輸出能力、開(kāi)關(guān)速度與du/dt的承受能力不同,,使用時(shí)要根據(jù)實(shí)際情況恰當(dāng)選用,。對(duì)于大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過(guò)流保護(hù)則可以通過(guò)封鎖驅(qū)動(dòng)信號(hào)或者減小柵壓來(lái)進(jìn)行保護(hù)。

2,、過(guò)壓保護(hù)

IGBT的過(guò)壓保護(hù)主要從以下幾個(gè)方面進(jìn)行:

(1)盡可能減少電路中的雜散電感,。

(2)采用吸收回路。吸收回路的作用是;當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí),,吸收電感中釋放的能量,,以降低關(guān)斷過(guò)電壓。

(3)適當(dāng)增大柵極電阻Rg,。

3、過(guò)熱保護(hù)

IGBT的過(guò)熱保護(hù)一般是采用散熱器(包括普通散熱器與熱管散熱器),,并可進(jìn)行強(qiáng)迫風(fēng)冷,。

二,、IGBT的保護(hù)模式有哪些

不注意IGBT的保護(hù),就無(wú)法抵抗來(lái)自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問(wèn)題,,因此需要做好保護(hù)工作,,IGBT的保護(hù)模式主要有兩種:

1、傳統(tǒng)保護(hù)模式

防止柵極電荷積累及柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設(shè)置一些保護(hù)元件,,如電阻RGE可以使柵極積累電荷泄放,,兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管可以防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。另外,,還有實(shí)現(xiàn)控制電路部分與被驅(qū)動(dòng)的IGBT之間的隔離設(shè)計(jì),,以及設(shè)計(jì)適合柵極的驅(qū)動(dòng)脈沖電路等。

2,、新型保護(hù)模式

將傳統(tǒng)的穩(wěn)壓管改為新型的瞬態(tài)抑制二極管(TVS),,TVS反應(yīng)速度極快(達(dá)PS級(jí)),通流能力遠(yuǎn)超穩(wěn)壓二極管(可達(dá)上千安培),,同時(shí),,TVS對(duì)靜電具有非常好的抑制效果。該產(chǎn)品可以通過(guò)IEC61000-4-2接觸放電8kV和空氣放電15kV的放電測(cè)試,。

將傳統(tǒng)電阻RG變更為正溫度系數(shù)(PPTC)保險(xiǎn)絲,。它既具有電阻的效果,又對(duì)溫度比較敏感,。當(dāng)內(nèi)部電流增加時(shí),,其阻抗也在增加,從而對(duì)過(guò)流具有非常好的抑制效果,。

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