1,、按照顯影效果不同， 光刻膠分為正性光刻膠和負性光刻膠,。

正性光刻膠的曝光部分溶于顯影劑,，顯影時形成的圖形與掩膜版上的圖形相同。負性光刻膠的曝光部分則不溶于顯影劑,，顯影時形成的圖形與掩膜版相反,。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致，區(qū)別在于主要原材料不同,。

2,、按照化學結(jié)構(gòu)不同，光刻膠可分為光聚合型,、光分解型,、光交聯(lián)型和化學放大型。

光聚合型光刻膠采用烯類單體,，在光作用下生成自由基,，引發(fā)單體聚合反應(yīng)生成聚合物，常用于負性光刻膠,。

光分解型光刻膠,，采用含有重氮醌類化合物（DQN）材料作為感光劑，其經(jīng)過光照后,，發(fā)生光分解反應(yīng),，可以制成正性光刻膠。

光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,，在光作用下,，形成不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，起到抗蝕作用,，可制成負性光刻膠,。

化學放大型光刻膠采用難以溶解的聚乙烯樹脂，使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑,，當光刻膠曝光后,，曝光區(qū)域PAG產(chǎn)生酸，可作為后續(xù)熱烘焙工序的催化器,，使得樹脂變得易于溶解,。化學放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍,，對深紫外光源具有良好的光學敏感性,，同時具有高對比度，對高分辨率等優(yōu)點,。

3,、按照下游應(yīng)用領(lǐng)域不同，光刻膠可分為PCB光刻膠,、LCD光刻膠和半導體光刻膠,。

PCB光刻膠主要包括干膜光刻膠、濕膜光刻膠,、光成像阻焊油墨,。

LCD領(lǐng)域光刻膠主要包括彩色光刻膠和黑色光刻膠,、觸摸屏光刻膠、TFT-LCD光刻膠,。

半導體光刻膠根據(jù)對應(yīng)波長可以分為紫外光刻膠（300-450nm）,、深紫外光刻膠（160-280nm）、極紫外光刻膠（EUV,、13.5nm）,、電子束光刻膠、離子束光刻膠,、X射線光刻膠,。光刻膠波長越短，加工分辨率越高,。