一、euv光刻膠是什么

euv光刻膠也稱極紫外光刻膠或EUVL,，是一種使用極紫外（EUV）波長(zhǎng)的下一代光刻技術(shù),。EUV光刻膠采用波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長(zhǎng)一下子降到13.5nm,，它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸,。

二、euv光刻膠的缺點(diǎn)

EUV光刻膠用于晶圓廠的芯片生產(chǎn),，它使用一個(gè)巨大的掃描儀在高級(jí)節(jié)點(diǎn)上對(duì)芯片的微小特征進(jìn)行圖案化,，在操作中，EUV的掃描儀產(chǎn)生光子,，最終與晶圓上的光敏材料光刻膠相互作用,，以形成精確的特征化圖案。

不過(guò),，并不是每次都可以實(shí)現(xiàn)精確圖案化,，在EUV中，光子撞擊光刻膠發(fā)生反應(yīng)且這一動(dòng)作重復(fù)多次,，這些過(guò)程充滿不可預(yù)測(cè)性和隨機(jī)性,，可能會(huì)產(chǎn)生新的反應(yīng)，也就是說(shuō)EUV光刻工藝容易出現(xiàn)所謂的隨機(jī)性,，是具有隨機(jī)變量的事件,，這些變化被統(tǒng)稱為隨機(jī)效應(yīng),。隨機(jī)效應(yīng)有時(shí)會(huì)導(dǎo)致芯片中出現(xiàn)不必要的接觸缺陷或有粗糙度的圖案,，兩者都會(huì)影響芯片的性能，甚至導(dǎo)致設(shè)備出現(xiàn)故障,。

在操作中,，EUV掃描儀應(yīng)該在芯片中創(chuàng)建各種圖案，例如微小的接觸孔,、線條和通孔,，并且具有良好的均勻性。但有時(shí),，掃描儀可能無(wú)法圖案化所需線條,，出現(xiàn)換行符，無(wú)法打印每一個(gè)接觸孔,，出現(xiàn)缺失接觸,，其他情況下，該過(guò)程還會(huì)導(dǎo)致一個(gè)或多個(gè)孔合并,，出現(xiàn)“接吻接觸”,。

換行符、缺失接觸和接吻接觸都被認(rèn)為是隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷，另一個(gè)隨機(jī)效應(yīng)是線邊緣粗糙度（LER）,。LER被定義為特征邊緣與理想形狀的偏差,，不隨特征大小而縮放，因此是有問(wèn)題的,。