一、集成電路封裝技術的發(fā)展可分為哪幾個階段

集成電路需要進行芯片封裝處理,，主要是為了固定集成電路,，使其免受物理損傷、化學損傷,，并能增強散熱性能,、便于安裝和運輸。集成電路封裝技術發(fā)展至今,，已經經過了四個階段：

1,、通孔插裝階段

20世紀70年代是通孔插裝時代，以雙列直插封裝（DIP）為代表,，DIP適合在印刷電路板上穿孔焊接,，操作方便。在衡量一個芯片封裝技術是否先進的重要指標是芯片面積和封裝面積之比越接近于1,，這種封裝技術越先進,。DIP封裝因為芯片面積和封裝面積之比相差大，故封裝完成后體積也比較大,，因此在無法滿足小型化等要求的情況下而逐步被淘汰,。

2,、表面貼裝階段

20世紀80年代是表面貼裝時代，以薄型小尺寸封裝技術（TSOP）為代表,，到目前為止依然保留著內存封裝的主流地位,。改進的TSOP技術依然被部分內存制造商所采用。

3,、面積陣列封裝階段

20世紀90年代出現了跨越式發(fā)展,，進入了面積陣列封裝時代，該階段出現了球柵陣列封裝（BGA）為代表的先進封裝技術,，這種技術在縮減體積的同時提高了系統性能,。其次還有芯片尺寸封裝（CSP）、無引線四邊扁平封裝（PQFN）,、多芯片組件（MCM）,。BGA技術的成功開發(fā)，讓一直落后于芯片發(fā)展的封裝終于追上了芯片發(fā)展的步伐,，CSP技術解決了長期存在的芯片小,，封裝大的矛盾，引發(fā)了集成電路封裝領域的技術革命,。

4,、三維封裝、系統級封裝階段

進入21世紀,，封裝技術迎來了三維封裝,、系統級封裝的時代。它在封裝觀念上發(fā)生了革命性的變化,，從原來的封裝元件概念演變成封裝系統,，主要有系統級芯片封裝（SoC）、微機電系統封裝（MEMS）,。

二,、集成電路封裝技術發(fā)展趨勢

集成電路封裝技術發(fā)展已經進入到先進封裝技術時代，未來集成電路封裝技術的發(fā)展主要呈現三大趨勢：

1,、功能多樣化

封裝對象從最初的單裸片向多裸片發(fā)展,，一個芯片封裝下可能有多種不同功能的裸片。

2,、連接多樣化

封裝下的內部互連技術不斷多樣化,，從凸塊（Bumping）到嵌入式互連，連接的密度不斷提升,。

3,、堆疊多樣化

器件排列已經從平面逐漸走向立體，通過組合不同的互連方式構建豐富的堆疊拓撲,。先進封裝技術的發(fā)展延伸和拓展了封裝的概念,，從晶圓到系統均可用“封裝”描述集成化的處理工藝,。