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芯片封測(cè)有技術(shù)含量嗎 芯片封測(cè)廠商技術(shù)布局分析

摘要:芯片封測(cè)是指芯片封裝和測(cè)試,,是芯片生產(chǎn)過(guò)程的最后一步,,芯片封測(cè)有一定的技術(shù)含量,但相對(duì)于芯片設(shè)計(jì)和芯片制造來(lái)說(shuō)技術(shù)含量較低,。對(duì)于芯片封測(cè)廠商來(lái)說(shuō),,主要是發(fā)展先進(jìn)封裝技術(shù)來(lái)提升芯片性能,這就需要廠商布局SiP(系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)),、RDL(晶圓重布線技術(shù))等技術(shù),。那么芯片封測(cè)有技術(shù)含量嗎?下面一起來(lái)看看芯片封測(cè)廠商技術(shù)布局分析吧,。

一,、芯片封測(cè)是什么意思

芯片封測(cè),全稱是芯片封裝測(cè)試,,芯片封裝測(cè)試是將生產(chǎn)出來(lái)的合格晶圓進(jìn)行切割、焊線,、塑封,,使芯片電路與外部器件實(shí)現(xiàn)電氣連接,并為芯片提供機(jī)械物理保護(hù),,并利用集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)提供的測(cè)試工具,,對(duì)封裝完畢的芯片進(jìn)行功能和性能測(cè)試。

二,、芯片封測(cè)有技術(shù)含量嗎

芯片的生產(chǎn)過(guò)程嚴(yán)格意義上來(lái)講分為了三步,,設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和封測(cè),,每一步都是非常重要的,,生產(chǎn)出的晶圓,如果沒(méi)有經(jīng)歷封測(cè)這一步驟,,那么就是個(gè)半成品,,根本無(wú)法使用。

芯片封測(cè)有一定的技術(shù)含量,,但相對(duì)于芯片設(shè)計(jì)和芯片制造來(lái)說(shuō),,技術(shù)含量和對(duì)技術(shù)的要求較低,,但是隨著摩爾定律接近極限,或許未來(lái)將有更先進(jìn)的封測(cè)技術(shù)發(fā)展,。

三,、芯片封測(cè)廠商技術(shù)布局分析

對(duì)于芯片封測(cè)廠商來(lái)說(shuō),發(fā)展先進(jìn)封裝技術(shù)是提升芯片性能的重要途徑,,這就需要高密度,、大帶寬的先進(jìn)封裝技術(shù)提供硬件支持,其中需要的技術(shù)主要有:

1,、SiP(系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù))

系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)是通過(guò)將多個(gè)裸片(Die)及無(wú)源器件整合在單個(gè)封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù),。在后摩爾時(shí)代,系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)可以幫助芯片成品增加集成度,、減小體積并降低功耗,。

2、RDL(晶圓重布線技術(shù))

RDL(ReDistribution Layer)重布線層,,起著XY平面電氣延伸和互聯(lián)的作用,。RDL工藝的出現(xiàn)和演變也和TSV等先進(jìn)封裝其他工藝一樣,是一個(gè)不斷演變與進(jìn)化的過(guò)程,,RDL工藝的誕生,,已經(jīng)為先進(jìn)封裝中的異質(zhì)集成提供了操作上的基礎(chǔ)。

3,、Bumping(晶圓凸點(diǎn)工藝)

Bumping技術(shù)通過(guò)在芯片表面制作金屬凸塊提供芯片電氣互連的“點(diǎn)”接口,,反應(yīng)了先進(jìn)制程以“點(diǎn)替代線”的發(fā)展趨勢(shì),廣泛應(yīng)用于FC,、WLP,、CSP、3D等先進(jìn)封裝,。它提供了芯片之間,、芯片和基板之間的“點(diǎn)連接”,由于避免了傳統(tǒng)Wire Bonding向四周輻射的金屬“線連接”,,減小了芯片面積(封裝效率100%),,此外凸塊陣列在芯片表面,引腳密度可以做得很高,,便于滿足芯片性能提升的需求

4,、Fan-in/out(扇入/扇出式封裝)

扇出(Fan-Out)的概念是相對(duì)于扇入(Fan-In)而言的,兩者都遵循類似的工藝流程,。當(dāng)芯片被加工切割完畢之后,,會(huì)放置在基于環(huán)氧樹(shù)脂模制化合物的晶圓上,這被稱為重構(gòu)晶圓,。然后,,在模制化合物上形成再分布層(RDL),。

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